Snapdragon 8 Gen 2 diluncurkan dengan konfigurasi CPU yang tidak biasa – 1 inti utama, 2+2 kinerja, dan 3 inti efisiensi. Scorecard Geekbench 6.1.0 baru saja muncul dan menunjukkan bahwa Qualcomm mengurangi satu inti efisiensi untuk menambahkan inti kinerja tambahan dan bahwa inti inti kinerja akan berjalan dengan kecepatan yang berbeda.
Ia memiliki 1 inti utama pada 3.30GHz, kemudian tiga inti kinerja pada 3.15GHz, diikuti oleh dua inti lainnya yang berjalan pada 2.96GHz yang lebih rendah, dan akhirnya dua inti efisiensi pada 2.27GHz. Berikut adalah tabel perbandingan:
| Snapdragon 8 Gen 3 (spesulatif) | Snapdragon 8 Gen 2 | |
| Utama | 1x Cortex-X4 @ 3.30GHz | 1x Cortex-X3 @ 3.2GHz * |
| Kinerja 1 | 3x Cortex-A7xx @ 3.15GHz | 2x Cortex-A715 @ 2.8GHz |
| Kinerja 2 | 2x Cortex-A7xx @ 2.96GHz | 2x Cortex-A710 @ 2.8GHz |
| Efisiensi | 2x Cortex-A5xx @ 2.27GHz | 3x Cortex-A510 @ 2.0GHz |
| * inti utama 3.36GHz pada chip “untuk Galaxy” dan 8+ Gen 2 | ||
Perhatikan bahwa sementara inti kinerja pada 8 Gen 2 berbeda (A715 dan A710), mereka berjalan pada frekuensi yang sama. 8 Gen 3 menjalankan dua cluster pada frekuensi yang berbeda, apakah mereka memiliki inti yang berbeda belum diketahui. ARM telah mengungkapkan Cortex-X4, A720 dan A520, sehingga mereka adalah kandidat teratas untuk chip Gen 3 (kecuali jika ARM mengeluarkan desain baru antara sekarang dan 24 Oktober).
Konfigurasi inti 1+5+2 atau lebih tepatnya 1+(3+2)+2 mengikuti pengaturan yang dimaksudkan oleh ARM saat merancang inti-inti ini. X4 menjanjikan performa 15% lebih tinggi dengan daya yang sama atau efisiensi 25% lebih tinggi dengan performa yang sama. Harapannya adalah X4 akan mencapai 3.4GHz, hampir sama dengan tempat chip “untuk Galaxy” / 8+ Gen 2 berada sekarang (inti utamanya berjalan pada 3.36GHz).
Hasil Geekbench 6.1.0 dari Samsung Galaxy S24+ (SM-S926U)
Bagaimana dengan rumor bahwa inti utama 8 Gen 3 akan berjalan pada 3.7GHz? Ini akan mengesankan untuk dilihat pada perangkat yang didinginkan secara pasif dengan daya baterai, tetapi bahkan node baru (TSMC N4P bukan N4) mungkin tidak cukup untuk mencapainya. Dan berdasarkan hasil benchmark ini (terlepas dari sangat awal), Qualcomm dan TSMC belum mencapai 3.7GHz.
Selalu ada kemungkinan bahwa mode kinerja tertentu dapat membatasi kecepatan tertinggi (ini selalu pertanyaan dengan benchmark yang tidak kami jalankan sendiri).Juga tidak jelas apakah ini adalah chip “untuk Galaxy” – Samsung telah diperkirakan memperpanjang perjanjian Qualcomm hingga tahun depan juga.
Meskipun tidak demikian, peningkatan dibandingkan dengan Snapdragon 8 Gen 2 “untuk Galaxy” cukup signifikan untuk satu generasi – peningkatan tunggal +12% dan peningkatan multi-core +26% untuk chip baru. Kinerja tunggal masih kalah dibandingkan dengan chip A16 Apple, tetapi skor multi-core lebih baik.
Tentu saja, Snapdragon 8 Gen 3 harus bersaing dengan A17, bukan A16, untuk mendapatkan posisi teratas dalam peringkat kinerja. Dan Apple telah membeli hampir semua kapasitas 3nm untuk membangun chip-nya, jadi mereka akan mendapatkan keuntungan dalam node.
GeekBench 6 – Inti Tunggal
Galaxy S24+
8GB RAM
Galaxy S23+
8GB RAM